基于此，2024年7月30日，清華大學材料學院院長林元華在國際期刊Advanced Functional Materials發(fā)表題為《Design of High-Entropy Relaxor Ferroelectrics for Comprehensive Energy Storage Enhancement》的研究論文。
圖2 熵調(diào)制膜的擊穿場和漏電流機制分析在這項工作中，作者利用熵策略構(gòu)建了一種將非晶相嵌入多晶納米晶中的結(jié)構(gòu)，從而提高了載流子的傳輸勢壘。因此，磁滯損耗在高電場下被極大地抑制，并且高熵膜中的高極化仍然被保持。圖3?熵調(diào)制膜的能量存儲和介電性能因此，在基于高熵Ba2Bi4Ti5O18的弛豫鐵電體中，同時實現(xiàn)了139.5 J cm?3的超高能量密度、87.9%的高效率和1153的高品質(zhì)因數(shù)。本工作為先進的高功率儲能應用的材料結(jié)構(gòu)設計提供了一條有前途的途徑。文獻信息：Design of High-Entropy Relaxor Ferroelectrics for Comprehensive Energy Storage Enhancement., 2024.
