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“80后”國(guó)家杰青,兩天連發(fā)Nature子刊與JACS!

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Nat. Commun.:?jiǎn)卧泳嚯x效應(yīng)對(duì)鈷氧化物酸性O(shè)ER催化劑穩(wěn)定性的影響
“80后”國(guó)家杰青,兩天連發(fā)Nature子刊與JACS!
開(kāi)發(fā)高效經(jīng)濟(jì)的酸性析氧反應(yīng)電催化劑是質(zhì)子交換膜水電解槽(PEMWE)發(fā)展的關(guān)鍵。鈷氧化物因其高活性而被認(rèn)為是很有前途的非貴OER催化劑。然而,Co原子在酸性介質(zhì)中的嚴(yán)重溶解會(huì)導(dǎo)致晶體結(jié)構(gòu)的失穩(wěn),這阻礙了它們?cè)赑EMWE中的應(yīng)用。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)曾杰、周仕明等人報(bào)道了在尖晶石鈷氧化物晶格中引入耐酸Ir單原子可以顯著抑制Co的溶解,并使其在酸性O(shè)ER過(guò)程中保持高度穩(wěn)定。結(jié)合理論和實(shí)驗(yàn)研究,發(fā)現(xiàn)Ir雜原子誘導(dǎo)的穩(wěn)定效應(yīng)與相鄰Ir單原子的距離有很強(qiáng)的依賴性,隨著距離的減小,鈷氧化物的OER穩(wěn)定性不斷提高。當(dāng)距離減小到0.6 nm左右時(shí),尖晶石鈷氧化物在酸性O(shè)ER中60小時(shí)的穩(wěn)定性測(cè)試中沒(méi)有出現(xiàn)明顯的降解,具有實(shí)際應(yīng)用的潛力。
相關(guān)工作以《Distance effect of single atoms on stability of cobalt oxide catalysts for acidic oxygen evolution》為題在《Nature Communications》上發(fā)表論文。
圖文導(dǎo)讀
“80后”國(guó)家杰青,兩天連發(fā)Nature子刊與JACS!
圖1. Cu0.3Co2.7O4和Ir1/Cu0.3Co2.7O4的結(jié)構(gòu)模型與遷移能計(jì)算
從DFT計(jì)算開(kāi)始,研究了引入耐酸雜原子如何影響尖晶石氧化物中Co原子的穩(wěn)定性。由于鈷氧化物在酸中的溶解涉及到鈷原子在表面的遷移,計(jì)算了這些晶格原子的遷移能來(lái)評(píng)估它們的穩(wěn)定性。以尖晶石Cu0.3Co2.7O4為模型(圖1a),提出了Co原子在八面體位點(diǎn)的遷移過(guò)程,如圖1b所示,其中Co原子通過(guò)一個(gè)能量勢(shì)壘為1.58 eV的過(guò)渡態(tài)離開(kāi)(110)面。在將Ir單原子引入氧化尖晶石的八面體位點(diǎn)后(圖1c),首先計(jì)算了最近的Co原子(標(biāo)記為A)到Ir單原子的遷移能。
隨后,進(jìn)一步評(píng)估了Ir單原子對(duì)遠(yuǎn)處Co原子遷移的影響,即圖1c中標(biāo)記為B的下一個(gè)最近的Co原子。計(jì)算得到B位點(diǎn)Co的遷移能為1.63 eV ,說(shuō)明在不引入Ir的情況下,B位點(diǎn)Co原子比A位點(diǎn)Co原子穩(wěn)定,但比Co原子穩(wěn)定(圖1d)。
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圖2. 不同Ir-Ir間距下Ir1/Cu0.3Co2.7O4的遷移能
為了進(jìn)一步探索Ir單原子的距離依賴穩(wěn)定效應(yīng),構(gòu)建了不同Ir-Ir距離的Ir原子摻雜尖晶石鈷氧化物Ir1/Cu0.3Co2.7O4的各種結(jié)構(gòu)模型(d)。圖2a-c顯示了d=1.14、0.87和0.56 nm的情況,其中相鄰兩個(gè)Ir原子之間的Co原子數(shù)分別為3、2和1。當(dāng)d = 1.14 nm時(shí),計(jì)算出居心Co原子的遷移能為1.63 eV。當(dāng)d = 0.87 nm時(shí),能量為1.75 eV(圖2d)。
遷移能的增加表明,相鄰Ir單原子之間的距離越短,催化劑表面的Co原子越穩(wěn)定。上述結(jié)果表明,Ir單原子可以穩(wěn)定鄰近晶格,但對(duì)遠(yuǎn)處晶格的影響有限。當(dāng)相鄰Ir單原子之間的距離過(guò)大時(shí),Ir單原子的穩(wěn)定作用非常有限。一旦Ir單原子之間的距離減小到一定值,穩(wěn)定作用就會(huì)有效地覆蓋尖晶石氧化物,從而在酸性條件下穩(wěn)定整個(gè)尖晶石氧化物。
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圖3. 不同Ir-Ir間距下Ir1/Cu0.3Co2.7O4的結(jié)構(gòu)表征
圖3a-c為三個(gè)不同Ir-Ir距離的Ir1/Cu0.3Co2.7O4樣品經(jīng)像差校正后的HAADF-STEM圖像。與Cu0.3Co2.7O4相比,發(fā)現(xiàn)了個(gè)別亮點(diǎn),這表明Ir原子分散在尖晶石鈷氧化物中。此外,通過(guò)平均HAADF-STEM圖像中200多個(gè)Ir-Ir原子對(duì)的Ir-Ir距離,估計(jì)d的值分別約為1.1,0.8和0.6 nm(圖3d-i)。
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圖4. 不同Ir-Ir間距下Ir1/Cu0.3Co2.7O4的電子結(jié)構(gòu)表征
本研究利用XANES和EXAFS進(jìn)一步表征了不同Ir-Ir距離的Ir1/Cu0.3Co2.7O4的電子結(jié)構(gòu)和配位環(huán)境。Co的K邊XANES光譜顯示,不同Ir-Ir距離的Ir1/Cu0.3Co2.7O4的吸收邊與Cu0.3Co2.7O4的吸收邊重疊,表明所有氧化物中Co的價(jià)態(tài)相似。Co的K邊EXAFS光譜在約1.4、2.3和3.0 ?處呈現(xiàn)3個(gè)相似的特征峰,分別對(duì)應(yīng)于Co-O、Cooct-Cooct(八面體位點(diǎn))和Cotet-Cotet(四面體位點(diǎn))(圖4b),說(shuō)明引入單原子Ir后Co位點(diǎn)的配位環(huán)境沒(méi)有明顯變化。
上述結(jié)果表明,引入不同距離的Ir單原子后,鈷氧化物的晶體結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)沒(méi)有明顯的變化。圖4c為Ir1/Cu0.3Co2.7O4在不同Ir-Ir距離下的Ir的L3邊緣XANES光譜。白線的強(qiáng)度隨著Ir-Ir距離的減小而逐漸減小,表明Ir的價(jià)態(tài)降低。Ir的L3邊EXAFS光譜在2.0 ?和3.0 ?處表現(xiàn)出兩個(gè)特征峰,分別屬于第一殼層Ir-O配位和第二殼層Ir-Co配位(圖4d)。通過(guò)對(duì)實(shí)驗(yàn)EXAFS光譜的擬合,確定了不同Ir-Ir距離下Ir1/Cu0.3Co2.7O4的Ir-O配位數(shù)和Ir-Co配位數(shù)分別約為6和3。擬合結(jié)果證實(shí)了Ir單原子被引入Cu0.3Co2.7O4的八面體位點(diǎn)。
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圖5. 酸性O(shè)ER穩(wěn)定性評(píng)價(jià)
為了評(píng)價(jià)不同距離的Ir單原子對(duì)Cu0.3Co2.7O4的穩(wěn)定作用,記錄了標(biāo)準(zhǔn)三電極體系在酸性介質(zhì)下的極化曲線。對(duì)于原始Cu0.3Co2.7O4,隨著掃描次數(shù)的增加,電流密度明顯降低(圖5a)。經(jīng)過(guò)1000次掃描循環(huán)后,電流密度下降了87.5%。在Cu0.3Co2.7O4中引入d=1.1和0.8 nm的Ir單原子后,經(jīng)過(guò)1000次掃描循環(huán),電流密度分別下降了76.3%和44.2%(圖5a、b)。當(dāng)Ir-Ir距離進(jìn)一步減小到0.6 nm時(shí),在連續(xù)掃描過(guò)程中電流密度下降不明顯,表明該樣品在酸性介質(zhì)中具有良好的OER穩(wěn)定性(圖5a、b)。
本文還測(cè)量了不同掃描次數(shù)下Co物質(zhì)的溶解情況,探討了不同Ir-Ir距離下Cu0.3Co2.7O4和Ir1/Cu0.3Co2.7O4的穩(wěn)定性。Cu0.3Co2.7O4中的Co隨掃描次數(shù)的增加而逐漸溶解。具體來(lái)說(shuō),在1000次掃描循環(huán)后,76.7%的Co物種被溶解(圖5c)。當(dāng)在Cu0.3Co2.7O4中引入Ir=1.1和0.8 nm時(shí),Co的溶解速度減慢,說(shuō)明Ir單原子可以穩(wěn)定Cu0.3Co2.7O4。當(dāng)在Cu0.3Co2.7O4中引入Ir=0.6 nm時(shí),經(jīng)過(guò)1000次掃描循環(huán)后,Co僅溶解(僅3.6%),表明d=0.6 nm時(shí)Cu0.3Co2.7O4具有較高的穩(wěn)定性。
在恒電流密度為10 mA cm-2geo的條件下,用長(zhǎng)期計(jì)時(shí)電位法測(cè)定了不同Ir-Ir距離下Cu0.3Co2.7O4和Ir1/Cu0.3Co2.7O4的耐久性。如圖5d所示,這些催化劑的耐久性隨著Ir-Ir距離的減小而提高。當(dāng)d=0.6 nm時(shí),連續(xù)工作60 h后,催化劑保持穩(wěn)定,電勢(shì)僅小幅增加約20 mV。值得注意的是,與商業(yè)IrO2相比,d=0.6 nm的Ir1/Cu0.3Co2.7O4具有更好的穩(wěn)定性。上述結(jié)果表明,Ir單原子誘導(dǎo)的穩(wěn)定效應(yīng)強(qiáng)烈依賴于相鄰單原子的距離。
文獻(xiàn)信息
Distance effect of single atoms on stability of cobalt oxide catalysts for acidic oxygen evolution,Nature Communications,2024.
https://www.nature.com/articles/s41467-024-46176-0
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JACS:拓?fù)浯呋疌O2電還原的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
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近年來(lái),拓?fù)湮锢韺W(xué)被進(jìn)一步擴(kuò)展到化學(xué)學(xué)科,導(dǎo)致拓?fù)浯呋某霈F(xiàn)。原則上,拓?fù)湫?yīng)在催化反應(yīng)中是可檢測(cè)到的,但尚未有確鑿的證據(jù)報(bào)道。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)曾杰教授、王征飛教授等人通過(guò)厚度控制和磁場(chǎng)的應(yīng)用,精確控制Bi2Se3納米片的拓?fù)浔砻鎽B(tài)(TSS),為說(shuō)明拓?fù)浯呋疌O2電還原提供了直接的實(shí)驗(yàn)證據(jù)。在TSS的配合,CO2主要還原為液體燃料(HCOOH和H2C2O4),表現(xiàn)出較高的法拉第效率(FE)(在-1.1 V下可達(dá)90%);而缺乏TSS時(shí),CO2主要還原為CO。理論研究表明,產(chǎn)物和FE的差異可歸因于TSS調(diào)節(jié)的關(guān)鍵中間體的吸附和電位決定步驟的降低。該工作證明了帶拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與電催化之間的內(nèi)在相關(guān)性,為設(shè)計(jì)高性能催化劑鋪平了新的道路。
相關(guān)工作以《Experimental Demonstration of Topological Catalysis for CO2 Electroreduction》為題在《Journal of the American Chemical Society》上發(fā)表論文。
圖文導(dǎo)讀
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圖1. 識(shí)別拓?fù)浯呋蠺SS內(nèi)在效應(yīng)的設(shè)計(jì)策略
本文設(shè)計(jì)了三個(gè)互補(bǔ)的實(shí)驗(yàn)方案來(lái)揭示神秘的拓?fù)浯呋疌O2電還原。在第一個(gè)實(shí)驗(yàn)中(圖1a),選擇了帶有TSS的厚Bi2Se3。在第二個(gè)實(shí)驗(yàn)中(圖1b),選擇了沒(méi)有TSS的薄Bi2Se3,其中TSS被量子限制消除了。在第三個(gè)實(shí)驗(yàn)中(圖1c),選擇了較厚的Bi2Se3,但在磁場(chǎng)下進(jìn)行催化反應(yīng),其中時(shí)間反轉(zhuǎn)對(duì)稱保護(hù)的TSS被磁場(chǎng)破壞。顯然,如果第二和第三實(shí)驗(yàn)中的催化活性或主導(dǎo)產(chǎn)物在第一實(shí)驗(yàn)中相似但不同,則可以直接確認(rèn)內(nèi)在的TSS效應(yīng)是調(diào)節(jié)催化活性或選擇性。
在進(jìn)行電化學(xué)測(cè)量之前,在4個(gè)五層(4-QL)Bi2Se3上進(jìn)行了*COOH和HCOO*第一性原理計(jì)算,以確定TSS對(duì)CO2電還原中間體的吸附是否有顯著影響。*COOH和HCOO*的PDOS分別如圖1d、e所示。比較有TSS和沒(méi)有TSS的PDOS,可以看到TSS使*COOH和HCOO*的占據(jù)態(tài)向費(fèi)米能級(jí)上升,表明吸附行為減弱。計(jì)算得到的鍵長(zhǎng)和吸附能(Ead)也支持了這一結(jié)論。對(duì)于*COOH的吸附,TSS使Bi-C鍵增加0.04 ?,使Ead減少0.07 eV。因此,Bi2Se3的TSS對(duì)中間體的吸附有相當(dāng)大的影響,從而可以通過(guò)實(shí)驗(yàn)檢測(cè)TSS調(diào)節(jié)的催化活性和選擇性。
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圖2. 6 nm和2 nm Bi2Se3納米片的表征
6 nm和2 nm的Bi2Se3納米片通過(guò)TEM(圖2a、b)和HAADF-STEM(插圖)圖像來(lái)表征,顯示高質(zhì)量的單晶具有六方晶結(jié)構(gòu)。為了直接鑒定制備樣品中的TSS,進(jìn)行了角分辨光電子能譜(ARPES)測(cè)量。在ARPES光譜中,6 nm Bi2Se3納米片在費(fèi)米能級(jí)以下表現(xiàn)出狄拉克錐的TSS(圖2c),其能量分布曲線(EDC)的光譜峰位于Γ點(diǎn),而2 nm Bi2Se3納米片在費(fèi)米能級(jí)以下表現(xiàn)為間隙態(tài)(圖2d)。
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圖3. 6 nm和2 nm Bi2Se3納米片電還原CO2的性能
圖3a顯示了6 nm和2 nm Bi2Se3納米片上CO2電還原的幾何電流密度(j)。j隨電位的增加而單調(diào)增加,其中6 nm Bi2Se3納米片在所有電位下都顯示出較大的值。在-1.1 V下,6nm Bi2Se3納米片的j甚至增加到46.9 mA·cm-2,是2 nm Bi2Se3納米片(29.9 mA·cm-2)的1.6倍。
除j外,CO2電還原產(chǎn)物的分布對(duì)Bi2Se3納米片的厚度也很敏感。在測(cè)量中可以觀察到三個(gè)顯著的特征,如圖3b所示。(1)6 nm的Bi2Se3納米片的主要產(chǎn)物是液體燃料(HCOOH和H2C2O4),在所有電位下都具有較高的FE,而2 nm的Bi2Se3納米片的主要產(chǎn)物是CO,在所有電位下都具有較低的FE。對(duì)于6 nm的Bi2Se3納米片,HCOOH存在于所有電位,而H2C2O4只存在于高電位(-0.9、-1.0和-1.1 V)。(3)對(duì)于2 nm的Bi2Se3納米片,HCOOH在所有電位下都存在,但H2C2O4不存在。
為了測(cè)試6 nm的Bi2Se3納米片的穩(wěn)定性,在-1.1 V下進(jìn)行了穩(wěn)定性測(cè)量。在連續(xù)反應(yīng)27 h時(shí),j的衰減小于6%,HCOOH和H2C2O4的FE值分別保持在56%和27%以上(圖3c)。此外,6 nm的Bi2Se3納米片上在磁場(chǎng)下原位進(jìn)行CO2電還原。在-1.1 V下,隨著磁場(chǎng)強(qiáng)度從0增加到6 T(圖3d),j從46.9 mA·cm-2減小到30.3 mA·cm-2。同時(shí),液體燃料的FE從90% (HCOOH和H2C2O4)降低到18% (HCOOH)。顯然,通過(guò)施加磁場(chǎng),活性降低和主導(dǎo)產(chǎn)物(從液體燃料到CO)的改變使6 nm的Bi2Se3納米片更類似于2 nm的Bi2Se3納米片。
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圖4. TSS調(diào)制催化活性和選擇性
圖4a-c分別為添加TSS和不添加TSS的4-QL的Bi2Se3上CO、HCOOH和H2C2O4生成的吉布斯自由能圖。添加TSS的Bi2Se3生成*COOH的ΔG為0.40 eV,比未添加TSS的Bi2Se3(0.26 eV)高0.14 eV。相比之下,有TSS(0.13 eV)的HCOO*生成的ΔG比沒(méi)有TSS (0.53 eV)的低0.40 eV。對(duì)于H2C2O4的生成,考慮了CO2與*COOH偶聯(lián)(路徑III)和共吸附*COOH之間的偶聯(lián)兩種反應(yīng)路徑。如圖4c所示,經(jīng)計(jì)算,在有TSS的Bi2Se3上生成H2C2O4*的ΔG為0.56 eV,比沒(méi)有TSS的Bi2Se3(0.64 eV)低0.08 eV。因此,含有TSS的Bi2Se3進(jìn)行CO2電還原時(shí),液態(tài)產(chǎn)物HCOOH和H2C2O4比CO更有利。形成H2C2O4的PDS最高ΔG表明,在6 nm的Bi2Se3納米片上形成H2C2O4需要更高電位。
本研究進(jìn)一步采用目標(biāo)產(chǎn)物和副產(chǎn)物的熱力學(xué)極限電位差(定義為ΔUL=UL(目標(biāo)產(chǎn)物)-UL(副產(chǎn)物),其中UL=-ΔG/e(ΔG為PDS的能壘))來(lái)評(píng)價(jià)產(chǎn)物選擇性。ΔUL值越正,對(duì)應(yīng)于目標(biāo)產(chǎn)物的選擇性越高。圖4d顯示了HCOOH和CO之間的ΔUL關(guān)系,在添加和不添加TSS的Bi2Se3中,ΔUL分別為0.27 V和-0.23 V。圖4e顯示了H2C2O4和CO之間的ΔUL,分別為-0.16 V和-0.34 V。在這兩種情況下,有TSS的ΔUL比沒(méi)有TSS的ΔUL更正,進(jìn)一步支持TSS調(diào)節(jié)CO2電還原活性和選擇性的事實(shí)。
文獻(xiàn)信息
Experimental Demonstration of Topological Catalysis for CO2 Electroreduction,Journal of the American Chemical Society,2024.10.1021/jacs.3c11088

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