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【VASP計算】?AFM:界面電荷轉(zhuǎn)移提高(CoFe MTF)/Fe2O3的載流子復(fù)合壽命

【VASP計算】?AFM:界面電荷轉(zhuǎn)移提高(CoFe MTF)/Fe2O3的載流子復(fù)合壽命
構(gòu)建異質(zhì)結(jié)構(gòu)光陽極是提高光電化學(xué)(PEC)性能的重要手段,但如何實現(xiàn)高效的界面電荷轉(zhuǎn)移是一個長期的挑戰(zhàn)。
基于此,清華大學(xué)朱永法教授和鄭州大學(xué)易莎莎副教授等人報道了一種由Fe-O-N/S鍵連接的CoFe金屬-硫化物骨架(CoFe MTF)/Fe2O3光陽極來調(diào)節(jié)載流子的行為,并改善水氧化性能。該界面鍵在Fe2O3和CoFe MTF的淺阱態(tài)之間起著直接電荷轉(zhuǎn)移的橋梁作用,導(dǎo)致載流子復(fù)合壽命延長,其中CoFe MTF/Fe2O3為85 ns,而Fe2O3為37 ns,并提高了電荷轉(zhuǎn)移效率。CoFe MTF/Fe2O3光陽極在水氧化方面表現(xiàn)出顯著的增強,導(dǎo)致光電流密度比原始Fe2O3增加三倍。
【VASP計算】?AFM:界面電荷轉(zhuǎn)移提高(CoFe MTF)/Fe2O3的載流子復(fù)合壽命
VASP解讀
通過DFT計算,作者研究了CoFe MTF/Fe2O3異質(zhì)結(jié)構(gòu)中CoFe MTF與Fe2O3之間的鍵合效果。從CoFe MTF/Fe2O3異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電荷密度差看出,電子在O原子周圍的中心區(qū)域積聚,而在N和S原子附近發(fā)生電荷耗盡,表明了界面成鍵效應(yīng),電子從N和S原子轉(zhuǎn)移到O原子,削弱了Fe2O3界面上原有的Fe-O鍵,并導(dǎo)致MTF向Fe2O3輕微的電荷回給。因此,在CoFe MTF/Fe2O3光陽極內(nèi)構(gòu)建了有效的空間電荷轉(zhuǎn)移橋,從而獲得更有效的載流子轉(zhuǎn)移特性。
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此外,投影態(tài)密度(PDOS)光譜和總態(tài)密度(TDOS)顯示出明顯的軌道重疊,可歸因于CoFe MTF/Fe2O3光電極中N(或S)和O原子之間的雜化。結(jié)構(gòu)表明,在CoFe MTF和Fe2O3之間形成Fe-O-N/S鍵,可作為電荷轉(zhuǎn)移通道,促進(jìn)它們在CoFe MTF/Fe2O3界面上的傳輸。
【VASP計算】?AFM:界面電荷轉(zhuǎn)移提高(CoFe MTF)/Fe2O3的載流子復(fù)合壽命
Interfacial Charge Transfer Bridge Prolongs Carrier Recombination Lifetimes of CoFe Metal-Thiolate Framework/Hematite Photoanode for Water Oxidation. Adv. Funct. Mater., 2024, DOI: https://doi.org/10.1002/adfm.202313767.

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