(1) 電子通過(guò)活性材料顆粒間的輸運(yùn)、鋰離子在活性材料顆?？障堕g電解液中的輸運(yùn)；

(2) 鋰離子通過(guò)活性材料顆粒表面絕緣層( SEI 膜) 的擴(kuò)散遷移;

(3) 電子/ 離子導(dǎo)電結(jié)合處的電荷傳輸過(guò)程;

(4)鋰離子在活性材料顆粒內(nèi)部的固體擴(kuò)散過(guò)程;

(5)鋰離子在活性材料中的累積和消耗以及由此導(dǎo)致活性材料顆粒晶體結(jié)構(gòu)的改變或新相的生成。

(1)?超高頻區(qū)域(10 kHz 以上)?，與鋰離子和電子通過(guò)電解液、多孔隔膜、導(dǎo)線、活性材料顆粒等輸運(yùn)有關(guān)的歐姆電阻，在EIS 譜上表現(xiàn)為一個(gè)點(diǎn)，此過(guò)程可用一個(gè)電阻R_s表示;

(2 )?高頻區(qū)域，與鋰離子通過(guò)活性材料顆粒表面絕緣層的擴(kuò)散遷移有關(guān)的一個(gè)半圓，此過(guò)程可用一個(gè)R_SEI?/C_SEI并聯(lián)電路表示。其中，R_SEI即為鋰離子擴(kuò)散遷移通過(guò)SEI 膜的電阻;

(3)?中頻區(qū)域，與電荷傳遞過(guò)程相關(guān)的一個(gè)半圓，此過(guò)程可用一個(gè)Rct /Cdl并聯(lián)電路表示。R_ct為電荷傳遞電阻，或稱為電化學(xué)反應(yīng)電阻，C_dl為雙電層電容;

(4)?低頻區(qū)域，與鋰離子在活性材料顆粒內(nèi)部的固體擴(kuò)散過(guò)程相關(guān)的一條斜線，此過(guò)程可用一個(gè)描述擴(kuò)散的Warburg 阻抗ZW表示;?

( 5 )?極低頻區(qū)域( <0. 01Hz)?，與活性材料顆粒晶體結(jié)構(gòu)的改變或新相的生成相關(guān)的一個(gè)半圓以及鋰離子在活性材料中的累積和消耗相關(guān)的一條垂線組成，此過(guò)程可用一個(gè)R_b?/C_b并聯(lián)電路與Cint組成的串聯(lián)電路表示。其中，R_b?和C_b?為表征活性材料顆粒本體結(jié)構(gòu)改變的電阻和電容，C_int為表征鋰離子在活性材料累積或消耗的嵌入電容。
EIS測(cè)試是頻率范圍一般為10mHZ—10kHZ，振幅為5mV。所以得到的EIS圖一般為與實(shí)軸的一個(gè)焦點(diǎn)，即（1）中的歐姆電阻R_s，兩個(gè)半圓或一個(gè)半圓，以及一條45°左右的斜線。