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羅景山團隊Nature子刊:構建雙緩沖層,顯著提高Cu2O光陰極的光電壓

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光電化學(PEC)分解水可以將間歇性太陽能轉化為氫燃料,從而解決太陽能的收集和儲存問題。氧化亞銅(Cu2O)由于其固有的p型特性、儲量豐富和低成本而可作為PEC水分解的光陰極。此外,Cu2O的帶隙約為2 eV,具有合適的析氫能帶位置,更使其成為低成本光陰極材料的首選。但是,使用單一的Cu2O光陰極很難實現(xiàn)太陽光驅動的水分解,通常需要構建由Cu2O光陰極和光陽極或太陽能電池組成的自偏置串聯(lián)裝置。

對于這種串聯(lián)系統(tǒng),增加光陰極和光陽極或太陽能電池的J-V曲線相交點的電流密度是提高太陽能到氫能(STH)轉換效率的關鍵。因此,要優(yōu)化析氫反應(HER)的起始電位和Cu2O光陰極的填充因子。然而,當Cu2O與電解質直接接觸時,會產(chǎn)生半導體-液體結(SCLJ)。在這種情況下,會不可避免地發(fā)生光電壓降低(<0.6 V)和光腐蝕。

羅景山團隊Nature子刊:構建雙緩沖層,顯著提高Cu2O光陰極的光電壓

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同時,以往的研究主要集中在優(yōu)化Cu2O與n型緩沖層之間的能帶排列以提高Cu2O光陰極的光電壓。然而,n型緩沖層和保護層之間的能帶對齊常常被忽略?;诖?,南開大學羅景山團隊制備了單緩沖層(Ga2O3)和雙緩沖層(Ga2O3/ZnGeOx) Cu2O光陰極,并比較了它們的光電性能。

實驗結果表明,Ga2O3/TiO2界面存在勢壘,使得Cu2O光電陰極的光電壓和填充因子降低;在Ga2O3層和TiO2層之間插入第二緩沖層(ZnGeOx)可以使Cu2O光陰極的起始電位提高。并且,ZnGeOx的插入引入了能級梯度并消除了Ga2O3/TiO2的界面勢壘,改善了Cu2O光陰極的能帶取向。

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PEC性能測試結果顯示,最優(yōu)的Cu2O/Ga2O3/ZnGeOx/TiO2光陰極在光照下(AM 1.5G,100 mW cm-2)的起始電位為1.07 VRHE,比Cu2O/Ga2O3/TiO2光陰極(0.91 VRHE)高0.16 VRHE;同時,與Cu2O/Ga2O3/TiO2光陰極相比,Cu2O/Ga2O3/ZnGeOx/TiO2在350~480 nm波長范圍內的入射光子數(shù)-電流轉化效率(IPCE)提高了69%。

此外,在連續(xù)光照(AM 1.5G,0 VRHE)下,Cu2O/Ga2O3/ZnGeOx/TiO2在H型電解池中進行PEC水分解實驗,H2的平均法拉第效率接近100%,表明來自Cu2O光陰極的光生電子都被用來還原質子以產(chǎn)生H2;并且,該電極連續(xù)10小時而沒有發(fā)生明顯的光電流下降(3 h內光電流密度的下降和波動主要是由于光陰極表面附著的氣泡引起),表明其具有良好的穩(wěn)定性。

Improving the photovoltage of Cu2O photocathodes with dual buffer layers. Nature Communications, 2023. DOI: 10.1038/s41467-023-42799-x

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