此文改編自一份優(yōu)秀的PPT,作者不詳!
電化學(xué)阻抗譜(交流阻抗法)是電化學(xué)測(cè)試技術(shù)中一類十分重要的方法,是研究電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)和表面現(xiàn)象的重要手段。
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特別是近年來(lái),由于頻率響應(yīng)分析儀的快速發(fā)展,交流阻抗的測(cè)試精度越來(lái)越高,超低頻信號(hào)阻抗譜也具有良好的重現(xiàn)性,再加上計(jì)算機(jī)技術(shù)的進(jìn)步,對(duì)阻抗譜解析的自動(dòng)化程度越來(lái)越高,這就使我們能更好的理解電極表面雙電層結(jié)構(gòu),活化鈍化膜轉(zhuǎn)換,孔蝕的誘發(fā)、發(fā)展、終止以及活性物質(zhì)的吸脫附過(guò)程。
1. 電化學(xué)阻抗譜的基礎(chǔ)
電化學(xué)阻抗譜(Electrochemical?Impedance?Spectroscopy,EIS):給電化學(xué)系統(tǒng)施加一個(gè)頻率不同的小振幅的交流正弦電勢(shì)波,測(cè)量交流電勢(shì)與電流信號(hào)的比值(系統(tǒng)的阻抗)隨正弦波頻率w的變化,或者是阻抗的相位角f隨w的的變化。通常作為擾動(dòng)信號(hào)的電勢(shì)正弦波的幅度在5mV左右,一般不超過(guò)10mV。
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1.1 利用EIS研究一個(gè)電化學(xué)系統(tǒng)的基本思路
將電化學(xué)系統(tǒng)看作是一個(gè)等效電路,這個(gè)等效電路是由電阻(R)、電容(C)、電感(L)等基本元件按串聯(lián)或并聯(lián)等不同方式組合而成,通過(guò)EIS可以測(cè)定等效電路的構(gòu)成以及各元件的大小,利用這些元件的電化學(xué)含義,來(lái)分析電化學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和電極過(guò)程的性質(zhì)等。
1.2 電化學(xué)系統(tǒng)的交流阻抗的含義
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給黑箱(電化學(xué)系統(tǒng)M)輸入一個(gè)擾動(dòng)函數(shù)X,它就會(huì)輸出一個(gè)響應(yīng)信號(hào)Y。用來(lái)描述擾動(dòng)與響應(yīng)之間關(guān)系的函數(shù),稱為傳輸函數(shù)G(w)。若系統(tǒng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是線性的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則輸出信號(hào)就是擾動(dòng)信號(hào)的線性函數(shù)。
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如果X為角頻率為w的正弦波電流信號(hào),則Y即為角頻率也為w的正弦電勢(shì)信號(hào),此時(shí),傳輸函數(shù)G(w)也是頻率的函數(shù),稱為頻響函數(shù),這個(gè)頻響函數(shù)就稱之為系統(tǒng)M的阻抗(impedance),用Z表示。
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EIS技術(shù)就是測(cè)定不同頻率w(f)的擾動(dòng)信號(hào)X和響應(yīng)信號(hào)Y的比值,得到不同頻率下阻抗的實(shí)部Z’、虛部Z”、模值|Z|和相位角f,然后將這些量繪制成各種形式的曲線,就得到EIS抗譜。
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常用的電化學(xué)阻抗譜有兩種:
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一種叫做奈奎斯特圖(Nyquist?plot),?一種叫做波特圖(Bode?plot)。
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1.3 EIS的特點(diǎn)
優(yōu)點(diǎn):體系干擾??;提供多角度的界面狀態(tài)與過(guò)程的信息,便于分析腐蝕緩蝕作用機(jī)理;數(shù)據(jù)分析過(guò)程相對(duì)簡(jiǎn)單,結(jié)果可靠。
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缺點(diǎn):復(fù)雜的阻抗譜的解釋。
2. 電極過(guò)程的等效電路
2.1 電荷傳遞過(guò)程控制的EIS
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如果電極過(guò)程由電荷傳遞過(guò)程(電化學(xué)反應(yīng)步驟)控制,擴(kuò)散過(guò)程引起的阻抗可以忽略,則電化學(xué)系統(tǒng)的等效電路可簡(jiǎn)化為:
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等效電路的阻抗:
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電極過(guò)程的控制步驟為電化學(xué)反應(yīng)步驟時(shí),Nyquist圖為半圓,據(jù)此可以判斷電極過(guò)程的控制步驟。從Nyquist圖上可以直接求出RW和Rct。由半圓頂點(diǎn)的w可求得Cd。
注意:在固體電極的EIS測(cè)量中發(fā)現(xiàn),曲線總是或多或少的偏離半圓軌跡,而表現(xiàn)為一段圓弧,被稱為容抗弧,這種現(xiàn)象被稱為“彌散效應(yīng)”,原因一般認(rèn)為同電極表面的不均勻性、電極表面的吸附層及溶液導(dǎo)電性差有關(guān),它反映了電極雙電層偏離理想電容的性質(zhì)。
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溶液電阻RW除了溶液的歐姆電阻外,還包括體系中的其它可能存在的歐姆電阻,如電極表面膜的歐姆電阻、電池隔膜的歐姆電阻、電極材料本身的歐姆電阻等。
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2.2 電荷傳遞和擴(kuò)散過(guò)程混合控制的EIS
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如果電荷傳遞動(dòng)力學(xué)不是很快,電荷傳遞過(guò)程和擴(kuò)散過(guò)程共同控制總的電極過(guò)程,電化學(xué)極化和濃差極化同時(shí)存在,則電化學(xué)系統(tǒng)的等效電路可簡(jiǎn)單表示為:
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電路的阻抗:
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Nyquist圖上擴(kuò)散控制表現(xiàn)為傾斜角π/4(45°)的直線。
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電極過(guò)程由電荷傳遞和擴(kuò)散過(guò)程共同控制時(shí),在整個(gè)頻率域內(nèi),其Nyquist圖是由高頻區(qū)的一個(gè)半圓和低頻區(qū)的一條45度的直線構(gòu)成。
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高頻區(qū)為電極反應(yīng)動(dòng)力學(xué)(電荷傳遞過(guò)程)控制,低頻區(qū)由電極反應(yīng)的反應(yīng)物或產(chǎn)物的擴(kuò)散控制。
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擴(kuò)散阻抗的直線可能偏離45°的原因:
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(1)電極表面很粗糙,以致擴(kuò)散過(guò)程部分相當(dāng)于球面擴(kuò)散;
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(2)除了電極電勢(shì)外,還有另外一個(gè)狀態(tài)變量,這個(gè)變量在測(cè)量的過(guò)程中引起感抗。
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2.3 復(fù)雜或特殊的電化學(xué)體系
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對(duì)于復(fù)雜或特殊的電化學(xué)體系,EIS譜的形狀將更加復(fù)雜多樣。只用電阻、電容等還不足以描述等效電路,需要引入感抗、常相位元件等其它電化學(xué)元件。
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3.?EIS的數(shù)據(jù)處理與解析
EIS分析常用的方法:等效電路曲線擬合法
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第一步:實(shí)驗(yàn)測(cè)定EIS。
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第二步:根據(jù)電化學(xué)體系的特征,利用電化學(xué)知識(shí),估計(jì)這個(gè)系統(tǒng)中可能有哪些個(gè)等效電路元件,它們之間有可能怎樣組合,然后提出一個(gè)可能的等效電路(一般情況下,可以參考已有文獻(xiàn))。
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第三步:利用專業(yè)的EIS分析軟件,對(duì)EIS進(jìn)行曲線擬合。如果擬合的很好,則說(shuō)明這個(gè)等效電路有可能是該系統(tǒng)的等效電路。
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最后:利用擬合軟件,可得到體系RW、Rct、Cd以及其它參數(shù),?再利用電化學(xué)知識(shí)賦予這些等效電路元件以一定的電化學(xué)含義,并計(jì)算動(dòng)力學(xué)參數(shù)。
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必須注意:電化學(xué)阻抗譜和等效電路之間不存在唯一對(duì)應(yīng)關(guān)系,同一個(gè)EIS往往可以用多個(gè)等效電路來(lái)很好的擬合。
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具體選擇哪一種等效電路,要考慮等效電路在被側(cè)體系中是否有明確的物理意義,能否合理解釋物理過(guò)程。這是等效電路曲線擬合分析法的缺點(diǎn)。
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