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二維范德華異質(zhì)結(jié)再發(fā)Nature—microARPES一探究竟

二維范德華異質(zhì)結(jié)再發(fā)Nature—microARPES一探究竟
通訊作者:許曉棟、David H. Cobden、Neil r. Wilson

通訊單位:華盛頓大學、華威大學

二維范德華異質(zhì)結(jié)再發(fā)Nature—microARPES一探究竟
成果速覽
二維范德華異質(zhì)結(jié)再發(fā)Nature—microARPES一探究竟

二維材料因其載流子遷移和熱量擴散都被限制在二維平面內(nèi),使得這種材料展現(xiàn)出許多奇特的性質(zhì)。其帶隙可調(diào)的特性在場效應管、光電器件、熱電器件等領域應用廣泛。因此在該類場效應晶體管中能夠直接觀測其電子狀態(tài),例如,局部電勢的變化,費米能級和能帶結(jié)構(gòu)等可以促進我們對其物理特性的理解。

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近日,華威大學的Neil r. Wilson和華盛頓大學的David H. Cobden、許曉棟采用微米級角分辨光電子能譜(microARPES)實現(xiàn)了對二維范德華異質(zhì)結(jié)器件電子狀態(tài)的直接觀測。

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研究表明,在雙端石墨烯器件中施加柵極電壓時,材料費米能級移動并越過狄拉克點,而能帶色散關系不發(fā)生改變。在二維半導體器件中,可觀察到導帶邊出現(xiàn)電子積累,表明在導帶邊緣有能量和動量的積聚。隨著靜電摻雜的增加,單層二硒化鎢(WSe2)器件的帶隙減小至幾百毫電子伏特,接近于激子的能量。

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本文通過在單個器件上通過光學和microARPES測試手段實現(xiàn)對二維材料的電子狀態(tài)的直接觀測,從而可以對柵極控制的電子和光學特性之間的相關性進行系統(tǒng)的研究。

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該成果以“Visualizing electrostatic gating effects in two-dimensional heterostructures ”為題于發(fā)表于國際期刊Nature上。

二維范德華異質(zhì)結(jié)再發(fā)Nature—microARPES一探究竟
圖文導讀
二維范德華異質(zhì)結(jié)再發(fā)Nature—microARPES一探究竟

二維范德華異質(zhì)結(jié)再發(fā)Nature—microARPES一探究竟

圖1 單層石墨烯靜電門控效應

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二維范德華異質(zhì)結(jié)再發(fā)Nature—microARPES一探究竟
圖2 WSe2層數(shù)與導帶邊能量的關系

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二維范德華異質(zhì)結(jié)再發(fā)Nature—microARPES一探究竟

圖3 單層WSe2的靜電門控效應

二維范德華異質(zhì)結(jié)再發(fā)Nature—microARPES一探究竟
文獻信息
二維范德華異質(zhì)結(jié)再發(fā)Nature—microARPES一探究竟

Visualizing electrostatic gating effects in two-dimensional heterostructures ?

(Nature,2019,DOI: 10.1038/s41586-019-1402-1)
原文鏈接
https://doi.org/10.1038/s41586-019-1402-1

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