STM揭示了能量和摻雜濃度對于TBG局域態(tài)密度的三重旋轉對稱性破缺的影響。在費米能級附近,對稱性破缺的程度最高。當摻雜到相關能帶區(qū)域,對稱性破缺的程度會進一步提高。該工作以“Maximized electroninteractions at the magic angle in twisted bilayer graphene”為標題于2019年7月31日發(fā)表在國際頂刊Nature上。
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圖文導讀
圖一、接近魔角的TBG原子結構
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圖二、魔角TBG的局域態(tài)密度和能帶寬度
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圖三、摻雜濃度對魔角TBG局域態(tài)密度的影響
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圖四、魔角TBG在摻雜條件下的波函數(shù)與對稱性破缺文獻信息Maximized electroninteractions at the magic angle in twisted bilayer graphene (Nature, 2019, DOI:10.1038/s41586-019-1431-9)