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潘安強(qiáng)/方國趙Small: 用于高效鋅離子存儲的密堆積晶格平面中的原位缺陷誘導(dǎo)

潘安強(qiáng)/方國趙Small: 用于高效鋅離子存儲的密堆積晶格平面中的原位缺陷誘導(dǎo)

水系鋅離子電池(ZIBs)因其低成本、環(huán)保、安全性高而受到廣泛關(guān)注。ZIBs中許多正極材料的電化學(xué)性能在循環(huán)過程中經(jīng)過電化學(xué)活化后得到了極大的改善,但其背后的機(jī)制仍有待進(jìn)一步研究。

潘安強(qiáng)/方國趙Small: 用于高效鋅離子存儲的密堆積晶格平面中的原位缺陷誘導(dǎo)

在此,中南大學(xué)潘安強(qiáng)教授、方國趙教授等人報(bào)道了水系鋅離子電池中氮氧化釩 (VNxOy )密堆積晶面中的電化學(xué)原位缺陷誘導(dǎo)。

通過理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,原來的致密結(jié)構(gòu)不適合插入Zn2+,而在初始電化學(xué)活化后具有高活性并伴隨著VNxOy密堆積晶面中的原位缺陷誘導(dǎo)并表現(xiàn)出有效的鋅離子存儲。

潘安強(qiáng)/方國趙Small: 用于高效鋅離子存儲的密堆積晶格平面中的原位缺陷誘導(dǎo)

圖1. VNxOy的合成過程及XRD表征

正如預(yù)期的那樣,電化學(xué)活化后的VNxOy可以在1 A g-1下達(dá)到231.4 mA hg-1的高可逆容量,并且在10 A g-1下循環(huán)穩(wěn)定性高達(dá)6000次,容量保持率為 94.3%。此外,3 M ZnSO4電解液被證明有利于循環(huán)穩(wěn)定性。

這項(xiàng)工作進(jìn)一步闡明了釩基可充電ZIBs的原理,為理解電化學(xué)原位轉(zhuǎn)化以獲得用于水系鋅離子電池的高活性正極材料提供了新的見解。

潘安強(qiáng)/方國趙Small: 用于高效鋅離子存儲的密堆積晶格平面中的原位缺陷誘導(dǎo)

圖2. VNxOy電極的電化學(xué)性能

In Situ Defect Induction in Close-Packed Lattice Plane for the Efficient Zinc Ion Storage, Small 2021. DOI: 10.1002/smll.202101944

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