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崔光磊Angew:首次揭示鎂正極置換反應(yīng)過(guò)程中的可逆陰離子氧化還原過(guò)程

崔光磊Angew:首次揭示鎂正極置換反應(yīng)過(guò)程中的可逆陰離子氧化還原過(guò)程

硫?qū)倩镆驯灰暈橹匾霓D(zhuǎn)換型Mg2+存儲(chǔ)正極,以實(shí)現(xiàn)鎂電池的高體積能量密度。然而,低初始庫(kù)倫效率和快速容量衰減仍然是硫?qū)倩镎龢O的挑戰(zhàn),此外明確的Mg2+存儲(chǔ)機(jī)制尚未闡明。

中科院青島能源所崔光磊等首次揭示了鎂正極置換反應(yīng)過(guò)程中的可逆陰離子氧化還原過(guò)程。

崔光磊Angew:首次揭示鎂正極置換反應(yīng)過(guò)程中的可逆陰離子氧化還原過(guò)程

圖1 Cu2-xSe正極的表征

這項(xiàng)工作以Cu2-xSe為模型材料,證明了Cu2-xSe正極的電荷存儲(chǔ)機(jī)制是可逆的置換反應(yīng)以及多硒化物(PSe)介導(dǎo)的陰離子補(bǔ)償溶液過(guò)程。對(duì)于硫化銅和硒化銅化合物的反應(yīng)機(jī)理,之前的大量報(bào)道將它們熟悉的兩種放電平臺(tái)歸因于Cu2+到Cu+和Cu+到Cu0的轉(zhuǎn)變。

然而,這項(xiàng)工作中的大量證據(jù)表明,較高的放電電壓平臺(tái)對(duì)應(yīng)于Sen2-到Se2-的還原,而低電壓平臺(tái)是由于Cu2+在Cu2Se主體中被Mg2+置換所致。因此,在較高電壓平臺(tái)中形成PSe的串?dāng)_效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致容量損失。

崔光磊Angew:首次揭示鎂正極置換反應(yīng)過(guò)程中的可逆陰離子氧化還原過(guò)程

圖2 Cu2-xSe正極和ICH正極的Mg2+儲(chǔ)存機(jī)理示意圖

通過(guò)在Cu2-xSe正極中添加少量Mo6S8,可有效抑制PSe的溶解,從而顯著提高了高電位平臺(tái)的反應(yīng)可逆性。研究顯示,最終所得復(fù)合正極(ICH)具有220 mAh g-1的高容量(比Cu2-xSe增加了57%),并表現(xiàn)出優(yōu)異的長(zhǎng)循環(huán)穩(wěn)定性和倍率性能。該工作對(duì)硫?qū)倩镛D(zhuǎn)化型正極有更深入的了解,對(duì)發(fā)展Mg2+儲(chǔ)存正極具有重要意義。

崔光磊Angew:首次揭示鎂正極置換反應(yīng)過(guò)程中的可逆陰離子氧化還原過(guò)程

圖3 電化學(xué)對(duì)比

Charge-Compensation in Displacement Mg2+ Storage Cathode through Polyselenide Mediated Anion Redox. Angewandte Chemie International Edition 2022. DOI: 10.1002/anie.202204423

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