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登上3篇Nature,4篇Science的明星材料,向應(yīng)用進(jìn)發(fā)!

全球65%以上的能源都以廢熱的形式損耗掉了。熱電發(fā)電機(jī)是一種以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的電子設(shè)備,它可以通過塞貝克效應(yīng)將廢熱轉(zhuǎn)化為電能。這種轉(zhuǎn)換過程無需移動部件,因此可以回收和利用大量廢熱來發(fā)電,這是一種環(huán)保的解決方案。熱電轉(zhuǎn)換效率是衡量其熱電材料性能的重要參數(shù),由無量綱的優(yōu)值(ZT值)決定,ZT = (S2σ/ktot)T,其中S、σ、ktot、T代表塞貝克系數(shù)、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和溫度,T為絕對溫度,ktot為電(kele)和晶格振動貢獻(xiàn)(klat)引起的總熱導(dǎo)率。
在過去的十年中,通過發(fā)展各種提高功率因子(S2σ)或抑制klat的策略,ZT值得到了顯著改善。然而,在最先進(jìn)的熱電系統(tǒng)中,最令人驚訝和最有前途的是硒化錫(SnSe)作為頂級熱電材料的發(fā)現(xiàn)。
據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),SnSe至少已經(jīng)登上3篇Nature,4篇Science,子刊更是數(shù)不勝數(shù)。

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為什么這種材料得到了這么大的關(guān)注呢?
這種材料結(jié)合了兩個非常理想的屬性:
(1)高效的固有超低熱導(dǎo)率;
(2)非常有利的電子能帶結(jié)構(gòu)。
多個能帶有助于電荷傳輸,從而有助于超高的功率因數(shù)。固有的強(qiáng)各向異性和非簡諧晶體化學(xué)導(dǎo)致本質(zhì)上的極低klat約為0.20 W m-1 K-1。結(jié)果表明,其p型原始晶體在913 K時(shí)沿b軸的ZT為2.6,而摻Br的n型晶體在773 K時(shí)沿a軸的ZT為2.8。
然而,這些異常高的熱電性能僅在單晶SnSe樣品中可以觀察到,而多晶的熱電性能要差得多。事實(shí)上,許多研究小組已經(jīng)在多晶SnSe樣品中觀察到比單晶樣品高得多的熱導(dǎo)klat值,預(yù)期存在額外的來自晶界(GBs)的聲子散射機(jī)制。因此,多晶SnSe材料的ZT值大大低于單晶材料。這導(dǎo)致了關(guān)于SnSe的超低klat作為一種固有特性以及單晶SnSe的特殊ZT值能否在多晶SnSe樣品中獲得的爭論。
事實(shí)上,考慮到單晶SnSe樣品的高成本、較差的機(jī)械脆性和高劈裂性,多晶樣品才具有實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)應(yīng)用的機(jī)會。但是,在多晶SnSe樣品中實(shí)現(xiàn)可比甚至更高的熱電性能是一個巨大的挑戰(zhàn)。
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首爾國立大學(xué)In Chung和美國西北大學(xué)Mercouri G. Kanatzidis研究小組之前發(fā)現(xiàn)多晶SnSe樣品中這種明顯較高的klat歸因于SnSe粉末表面錫氧化物(SnOx)的存在(Joule,上圖)。SnO2的klat大約是SnSe的140倍。
當(dāng)覆蓋SnOx薄膜的SnSe粉體被壓實(shí)成致密球團(tuán)時(shí),晶界存在的高導(dǎo)熱SnOx為熱傳輸提供了自然的滲流途徑。在這種情況下,熱導(dǎo)率大大提高,這與普遍預(yù)期的多晶樣品由于廣泛的GB聲子散射而比單晶樣品的熱導(dǎo)率要低的看法相反。多晶性能差的原因是SnSe粉末表面覆蓋的SnOx增加了熱導(dǎo)率,降低了電導(dǎo)率,從而降低了ZT。
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為了解決多晶SnSe的電導(dǎo)率的問題,他們課題組繼續(xù)發(fā)力(Nature Materials,上圖),報(bào)道了一種球磨結(jié)合化學(xué)還原的多晶SnSe基材料后處理方法,這種方法有效地從表面和隨后的界面上去除SnOx相,獲得了仔細(xì)提純的試劑和去除SnOx的空穴摻雜SnSe多晶樣品,
在783 K時(shí)顯示出約3.1的ZT。其晶格熱導(dǎo)率在783 K時(shí)約為0.07 W m-1 K-1,低于單晶。
然而,在300 ~ 673 K的幾乎整個溫度范圍內(nèi),這些樣品的klat約為0.84 ~ 0.32 W m-1K-1,而SnSe單晶的klat約為0.47 ~ 0.24 W m-1 K-1。
多晶樣品獲得超高熱電性能的途徑是適當(dāng)去除SnSe晶粒表面的有害導(dǎo)熱氧化物。這些結(jié)果可能開啟高性能材料的實(shí)用熱電時(shí)代。這一發(fā)現(xiàn)對未來需要如何處理其他系統(tǒng)有更廣泛的影響,特別是那些含錫的熱電系統(tǒng)的合成和樣品制備過程需要進(jìn)行重新檢查。

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圖1. 多晶SnSe中去除表面錫氧化物(SnOx)的過程示意圖,并揭示材料的固有熱電性能

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圖2. SnOx在未經(jīng)處理和純化的多晶中的分布,由TOF-SIMS獲得的SnSe樣品

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圖3. SnOx在未經(jīng)處理和純化的多晶SnSe樣品中的分布和組成

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圖4. 對未摻雜和Na摻雜的多晶SnSe樣品純化前后的SnSe晶體結(jié)構(gòu)和晶格、Klat、總熱導(dǎo)率、ktot隨溫度的變化規(guī)律進(jìn)行了研究

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圖5. NaxSn0.995-xSe純化前后的熱電性能
文獻(xiàn)信息
Zhou, C., Lee, Y.K., Yu, Y. et al. Polycrystalline SnSe with a thermoelectric figure of merit greater than the single crystal. Nat. Mater. (2021).
https://doi.org/10.1038/s41563-021-01064-6

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