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加大/華理AEM: 基于封裝在兩親石墨烯管的Sn4P3的新型鈉電負(fù)極

加大/華理AEM: 基于封裝在兩親石墨烯管的Sn4P3的新型鈉電負(fù)極
鈉離子電池 (SIB) 的商業(yè)應(yīng)用由于缺乏具有高容量、合適氧化還原電位和循環(huán)穩(wěn)定性的負(fù)極材料而受到阻礙。合金型材料在鈉化和脫鈉過程中經(jīng)常會(huì)發(fā)生巨大的體積變化,最終導(dǎo)致電極粉化、電極碎裂和電極的劇烈循環(huán)衰減。
加大/華理AEM: 基于封裝在兩親石墨烯管的Sn4P3的新型鈉電負(fù)極
在此,美國(guó)加州大學(xué)洛杉磯分校盧云峰教授、沈力博士及華東理工大學(xué)莫潤(rùn)偉教授等人報(bào)道了一種基于封裝在兩親性和多孔石墨烯管 (GT) 中的Sn4P3的新型復(fù)合負(fù)極。這種兩親GT由內(nèi)部親水石墨烯管(N摻雜)和外部疏水石墨烯管(未摻雜)組成,這保證了Sn4P3納米顆粒在GT內(nèi)的有限生長(zhǎng)和納米顆粒體積膨脹的有效調(diào)節(jié)。GT分散在含有水系Sn前體的水溶液中,允許溶液滲透到親水管中。
隨后的水熱處理將前驅(qū)體轉(zhuǎn)化為SnO2,從而形成了在管內(nèi)生長(zhǎng)的SnO2納米顆粒的GT復(fù)合材料。值得注意的是,SnO2納米粒子也可能在GT外部和溶液中生長(zhǎng),可以通過洗滌和過濾輕松去除,從而形成具有良好封裝的SnO2納米粒子 的GT復(fù)合材料。最后,封裝的SnO2通過磷化處理轉(zhuǎn)化為Sn4P3,導(dǎo)致形成 Sn4P3/GT復(fù)合材料,其中Sn4P3限制在GT內(nèi)。
加大/華理AEM: 基于封裝在兩親石墨烯管的Sn4P3的新型鈉電負(fù)極
圖1. Sn4P3/GT復(fù)合電極的電化學(xué)性能
與現(xiàn)有技術(shù)相比,獨(dú)特的兩親性允許在N摻雜的GT內(nèi)單獨(dú)形成Sn4P3顆粒,這不僅適應(yīng)了其在鈉化和去鈉過程中的體積變化,而且還將這些顆粒及其環(huán)狀化合物保留在GT內(nèi)。此外,導(dǎo)電GT以及納米Sn4P3還提供了更快的電子和離子傳輸速率。
因此,Sn4P3/GT復(fù)合負(fù)極具有高可逆容量(821 mAh g-1@0.2 A g-1)、優(yōu)異的倍率性能(326 mAh g-1@20 A g-1)和出色的循環(huán)穩(wěn)定性(500次循環(huán)后可逆容量保持率>90%)。這種策略可以擴(kuò)展到在充放電過程中經(jīng)歷劇烈體積變化的其他轉(zhuǎn)化型和合金型材料。
加大/華理AEM: 基于封裝在兩親石墨烯管的Sn4P3的新型鈉電負(fù)極
圖2. Sn4P3/GT復(fù)合電極的鈉化/脫鈉機(jī)制
High Performance Sodium Ion Anodes Based on Sn4P3 Encapsulated within Amphiphilic Graphene Tubes, Advanced Energy Materials 2021. DOI: 10.1002/aenm.202102345

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