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蘭大?Nano-Micro Letters:蝕刻誘導的NiMoO4表面重構助力OER

蘭大?Nano-Micro Letters:蝕刻誘導的NiMoO4表面重構助力OER
析氧反應(OER)預催化劑的合理重構和OER催化劑的性能指標是實現(xiàn)通用水電解的關鍵,但也是一個挑戰(zhàn)。
基于此,蘭州大學高大強教授、Xia Baori(共同通訊作者)等人報道了一種雙陽離子刻蝕策略來調(diào)整NiMoO4的電子結構,其中制備的NiMoO4納米棒經(jīng)H2O2刻蝕后,其表面具有大量的陽離子缺陷和晶格畸變。
優(yōu)化后的樣品(MO-30M)在10 mA cm-2下的過電位為260 mV,長期耐久時間為162 h。
蘭大?Nano-Micro Letters:蝕刻誘導的NiMoO4表面重構助力OER
對于OER的整個過程可以概括為四個基本反應步驟,包括三個關鍵中間體:*OH,*O和*OOH。不同中間體與反應路徑相關的優(yōu)化幾何模型,對應的能量分布不同。
NMO-VNiMo的速率決定步驟(RDS)為*OOH到*O中間體的轉(zhuǎn)換,其能壘為2.07 eV,比NMO(2.83 eV)低。
對于*O + H2O (l) ? *OOH + H+ + e?,DFT計算得出的過電位為0.84 V,小于原始NMO。因此,RDS的降低有利于提高OER性能。
蘭大?Nano-Micro Letters:蝕刻誘導的NiMoO4表面重構助力OER
此外,NMO-VNiMo中Ni d和O p的d-帶中心比NMO更接近費米能級,與NMO對氧中間體的強吸附有關。
在引入雙陽離子缺陷后,Ni d與O p能帶中心的能量差減小至1.690 eV,表明NMO-30M中Ni 3d-O 2p共價得到提升,導致OER過程中四個步驟電位降低。NMO-VNi和NMO-VMo的d-帶中心和能量差如圖所示。結果表明,NMO-VNi和NMO-VMo的結果都不如NMO-VNiMo。
蘭大?Nano-Micro Letters:蝕刻誘導的NiMoO4表面重構助力OER
Etching-Induced Surface Reconstruction of NiMoO4 for Oxygen Evolution Reaction. Nano-Micro Lett., 2023, DOI: 10.1007/s40820-022-01011-3.
https://doi.org/10.1007/s40820-022-01011-3.

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