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史建平團(tuán)隊(duì)AM:SA Co-MoS2/C復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)高性能鈉的儲存

史建平團(tuán)隊(duì)AM:SA Co-MoS2/C復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)高性能鈉的儲存
二維(2D)過渡金屬硫化合物(TMDCs)和單原子催化劑(SACs)由于其層狀結(jié)構(gòu)和最大的原子利用率,成為很有前景的能量轉(zhuǎn)換/存儲電極。然而,這兩種類型材料的集成和相關(guān)的鈉存儲應(yīng)用仍然面臨巨大的挑戰(zhàn)。
基于此,武漢大學(xué)史建平研究員等人報(bào)道了一種巧妙的硅藻土模板合成策略,用于制備單原子Co摻雜MoS2/C(SA Co-MoS2/C)復(fù)合材料,以實(shí)現(xiàn)高性能的鈉存儲。
所制備的SA Co-MoS2/C具有顯著的比容量(0.1 A g-1時(shí)約604.0 mAh g-1)、高倍率性能和出色的長循環(huán)穩(wěn)定性。由SA Co-MoS2/C負(fù)極和Na3V2(PO4)3正極組成的鈉離子電池,循環(huán)次數(shù)超過1200次,表現(xiàn)出優(yōu)異的穩(wěn)定性。
史建平團(tuán)隊(duì)AM:SA Co-MoS2/C復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)高性能鈉的儲存
通過密度泛函理論(DFT)計(jì)算,作者揭示了SA Co-MoS2/C高性能儲存鈉的機(jī)制。SA Co-MoS2/C和MoS2/C的電子結(jié)構(gòu)如圖所示,其中SA Co-MoS2/C的帶隙減小,增強(qiáng)了電導(dǎo)率,加速了電荷轉(zhuǎn)移。
鈉原子在SA Co-MoS2/C上的遷移勢壘(~0.361 eV)遠(yuǎn)低于在MoS2/C上的遷移勢壘(~0.492 eV),反應(yīng)動力學(xué)快速。
史建平團(tuán)隊(duì)AM:SA Co-MoS2/C復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)高性能鈉的儲存
此外,鈉原子在SA Co-MoS2/C上的吸附能為-0.3153 eV,遠(yuǎn)低于在MoS2/C上的吸附能(-0.7251 eV),表明鈉原子更容易錨定在SA Co-MoS2/C上,而不是在MoS2/C上,這是高性能鈉儲存的原因。通過Bader電荷分析,作者還進(jìn)一步闡明了引入Co單原子對電荷轉(zhuǎn)移的調(diào)制作用。
史建平團(tuán)隊(duì)AM:SA Co-MoS2/C復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)高性能鈉的儲存
Diatomite-Templated Synthesis of Single-Atom Cobalt-Doped MoS2/Carbon Composites to Boost Sodium Storage. Adv. Mater., 2023, DOI: https://doi.org/10.1002/adma.202211690.

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