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黃富強(qiáng)/黃健/方裕強(qiáng)AFM:用于穩(wěn)定鉀儲存的 1T''' MoS2 均質(zhì)插層化學(xué)和超低應(yīng)變

黃富強(qiáng)/黃健/方裕強(qiáng)AFM:用于穩(wěn)定鉀儲存的 1T''' MoS2 均質(zhì)插層化學(xué)和超低應(yīng)變
插層負(fù)極由于具有良好的層狀結(jié)構(gòu),其循環(huán)性能通常優(yōu)于鋰或鈉儲存的合金負(fù)極和轉(zhuǎn)化負(fù)極。然而,對于更大的鉀調(diào)節(jié),這些插層負(fù)極通常經(jīng)歷巨大的層膨脹和結(jié)構(gòu)扭曲,導(dǎo)致嚴(yán)重的容量衰退。
黃富強(qiáng)/黃健/方裕強(qiáng)AFM:用于穩(wěn)定鉀儲存的 1T''' MoS2 均質(zhì)插層化學(xué)和超低應(yīng)變
在此,中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所黃富強(qiáng)研究員、黃健研究員以及方裕強(qiáng)等人發(fā)現(xiàn)1T”’ MoS2(從1T MoS2扭曲而來) 在層中具有角共享Mo3三角三聚體,表現(xiàn)出比2H MoS2更短的Mo-Mo距離,這確保了快速電子轉(zhuǎn)移和均勻的K+嵌入。
此外,1T”’ MoS2的褶S層提供了不同的活性位點,部分不可分離的K+被認(rèn)為是一個支柱,以削弱界面應(yīng)變,實現(xiàn)保持層狀結(jié)構(gòu)。
通過原位表征和DFT計算證明了嵌入的K+均勻地分布在層間,并誘導(dǎo)從1T”’ MoS2到1T’ MoS2的相變,檢測到3.5%的超低層膨脹率(在K+脫出后)。
結(jié)果顯示,1T”’ MoS2在0.2C時表現(xiàn)出125mAhg-1的容量,并且1C的條件下500次循環(huán)后沒有容量衰減。此外,將其用作鉀雙離子電池 (KDIB)的負(fù)極時,1T”’ MoS2實現(xiàn)了40 mAhg-1的容量,250個周期后具有98%容量保持率。
黃富強(qiáng)/黃健/方裕強(qiáng)AFM:用于穩(wěn)定鉀儲存的 1T''' MoS2 均質(zhì)插層化學(xué)和超低應(yīng)變
圖1. 電池性能
總之,該工作通過理論和實驗研究揭示了1T”’ MoS2中自適應(yīng)的金屬Mo-Mo鍵和褶S層,導(dǎo)致了電子的快速傳遞和K+的均勻嵌入,而且不可逆嵌入的K+導(dǎo)致循環(huán)過程中的微小的層膨脹和結(jié)構(gòu)應(yīng)變。電化學(xué)性能測試結(jié)果表明,0.2C時1T”’ MoS2的容量為125 mAhg-1,在1C下循環(huán)500次后沒有容量衰減。
此外,組裝的1T”’ MoS2//MCMB K-DIB全電池在250次循環(huán)后表現(xiàn)出98%的優(yōu)異容量保留率。這項工作提供一個新型的插層負(fù)極和穩(wěn)定鉀離子存儲的設(shè)計策略。
黃富強(qiáng)/黃健/方裕強(qiáng)AFM:用于穩(wěn)定鉀儲存的 1T''' MoS2 均質(zhì)插層化學(xué)和超低應(yīng)變
圖2. DFT計算
Homogeneous Intercalation Chemistry and Ultralow Strain of 1T’’’ MoS2 for Stable Potassium Storage, Advanced Functional Materials 2023 DOI: 10.1002/adfm.202306550

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