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陳維/夏川ACS Catalysis:原位動(dòng)態(tài)重構(gòu)銅錫硫催化劑實(shí)現(xiàn)高性能電催化CO2制甲酸

本文充分揭示了在電化學(xué)CO2還原過(guò)程中通過(guò)原位還原預(yù)催化劑Cu2SnS3和CuS重建的銅錫硫化物催化劑的動(dòng)態(tài)還原過(guò)程和相變。

陳維/夏川ACS Catalysis:原位動(dòng)態(tài)重構(gòu)銅錫硫催化劑實(shí)現(xiàn)高性能電催化CO2制甲酸
電化學(xué)還原二氧化碳以生產(chǎn)燃料和化學(xué)品是實(shí)現(xiàn)碳中和循環(huán)的最有價(jià)值的方法之一。最近,已經(jīng)開(kāi)發(fā)了多種催化劑以提高其固有活性和效率。然而,工作條件下電催化劑的動(dòng)態(tài)演化過(guò)程和原位構(gòu)建行為通常被忽略。
在這里,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)陳維電子科技大學(xué)夏川等充分揭示了在電化學(xué)CO2還原過(guò)程中通過(guò)原位還原預(yù)催化劑Cu2SnS3和CuS重建的銅錫硫化物催化劑的動(dòng)態(tài)還原過(guò)程和相變。此外,重構(gòu)的催化劑在-241 mA cm-2 的部分電流密度下以124889.9μmol mg-1 h-1的驚人產(chǎn)率實(shí)現(xiàn)了出色的電化學(xué)CO2到甲酸鹽的轉(zhuǎn)化,法拉第效率高達(dá)96.4%(?669.4 A g–1)在流通池反應(yīng)器中。理論計(jì)算進(jìn)一步證明了吸附質(zhì)與底物之間的強(qiáng)電荷相互作用,加速了電荷轉(zhuǎn)移,降低了CO2到HCOOH途徑中OCHO*和HCOOH*中間體的形成能,從而提高了銅表面甲酸鹽的選擇性硫化錫催化劑。這項(xiàng)工作為揭示重構(gòu)催化劑的原位動(dòng)力學(xué)過(guò)程和設(shè)計(jì)具有高催化活性和選擇性的最佳催化劑鋪平了道路。
陳維/夏川ACS Catalysis:原位動(dòng)態(tài)重構(gòu)銅錫硫催化劑實(shí)現(xiàn)高性能電催化CO2制甲酸
為了進(jìn)一步揭示原位重構(gòu)的S-CuSn催化劑上CO2轉(zhuǎn)化為甲酸鹽的優(yōu)異電化學(xué)性能的催化機(jī)制,我們對(duì)三種類(lèi)型的模型進(jìn)行了理論計(jì)算,包括S/Sn共摻雜的CuSn合金、S-摻雜的Cu和S摻雜的Sn(分別表示為S-CuSn、S-Cu和S-Sn)。我們計(jì)算了從CO2形成HCOOH和CO以及從H2O形成H2的吉布斯自由能。具體而言,對(duì)于HCOOH的形成,兩個(gè)質(zhì)子/電子轉(zhuǎn)移步驟參與電化學(xué)CO2轉(zhuǎn)化為HCOOH,包括CO2質(zhì)子化為OCHO*中間體和OCHO*中間體轉(zhuǎn)化為HCOOH*中間體(* + CO2 + H+ + e? OCHO*;OCHO* + H+ + e ? HCOOH*)。然后,形成的HCOOH*中間體將從催化劑表面解吸并加速HCOOH的形成。
此外,OCHO*中間體的吸附被認(rèn)為是電化學(xué)CO2轉(zhuǎn)化為HCOOH過(guò)程的決定性步驟。電化學(xué) CO2形成CO也是一個(gè)質(zhì)子/電子轉(zhuǎn)移步驟的兩個(gè)過(guò)程。具體來(lái)說(shuō),它包括將CO2質(zhì)子化為COOH*中間體,該中間體被認(rèn)為是形成CO的中間體,將COOH*中間體二羥基化為吸附的CO*中間體,以及分離來(lái)自催化劑表面的CO*中間體。由結(jié)合的H*中間體產(chǎn)生的競(jìng)爭(zhēng)性HER也可以在CO2RR期間與催化劑發(fā)生反應(yīng),并會(huì)顯著影響HCOOH的轉(zhuǎn)化效率。因此,計(jì)算了S-CuSn、S-Cu和S-Sn表面上CO2RR到HCOOH和CO以及H2O到H2的吉布斯自由能,相應(yīng)的結(jié)果總結(jié)在表 S4-S7中。
陳維/夏川ACS Catalysis:原位動(dòng)態(tài)重構(gòu)銅錫硫催化劑實(shí)現(xiàn)高性能電催化CO2制甲酸
在S-CuSn表面,首先需要激活CO2分子,形成CO2*的相應(yīng)吉布斯自由能為0.14 eV。然后,CO2*捕獲質(zhì)子/電子對(duì)或吸附的H中間體,形成自由能為-0.14 eV的OCHO*,表明HOCO*可以在S-CuSn表面上的CO2*在熱力學(xué)中自發(fā)形成(圖5a和S28a)。然而,形成HCOOH*的吉布斯自由能為0.31 eV,高于CO2*和OCHO*以及HCOOH*的解吸(-0.97 eV)生成HCOOH,表明HCOOH*的形成來(lái)自O(shè)CHO*是S-CuSn 表面 CO2到HCOOH 轉(zhuǎn)化的潛在限制步驟。
此外,在 CO2RR期間也可能發(fā)生 CO2 和H2O形成CO(圖 S28b,c)。基于DFT計(jì)算,CO和H2路徑的電位限制步驟分別確定為CO*和H*的形成。在S-CuSn表面形成CO*和H*的相應(yīng)吉布斯自由能分別為1.38和0.37 eV(圖5a)。結(jié)果表明,CO2向HCOOH轉(zhuǎn)化的限位步驟的能壘低于CO和H2途徑的能壘,表明HCOOH途徑在S-CuSn表面更利于能量。它還解釋了在CO2RR期間HCOOH對(duì)S-CuSn催化劑的實(shí)驗(yàn)性高活性和效率。作為比較,對(duì)S-Cu和S-Sn的模型也進(jìn)行了相同的計(jì)算。對(duì)于S-Cu的結(jié)構(gòu),活性H2O (H2O*)形成H*的電位限制步驟低于CO2到HCOOH (HCOOH*)和-CO的電位限制步驟( CO的解吸)轉(zhuǎn)化,表明H2O在S-Cu上的解離活性很高,并且在CO2RR期間HCOOH的選擇性低(圖5b和S29)。此外,對(duì)于S-Sn的結(jié)構(gòu),OCHO*形成的吉布斯自由能與S-CuSn上的一致,而COOH*和H*的吉布斯自由能明顯低于S-CuSn上的吉布斯自由能,表明在S-Sn上更可能實(shí)現(xiàn)CO2到CO的轉(zhuǎn)化和HER,從而促進(jìn)了S-CuSn催化劑上HCOOH的產(chǎn)生(圖5c和S30)。
此外,已經(jīng)計(jì)算了S-CuSn、S-Cu和S-Sn的OCHO*的差異電荷密度,被認(rèn)為是形成 HCOOH的關(guān)鍵中間體之一,以進(jìn)一步闡明吸附質(zhì)之間相互作用的機(jī)制和基板。與S-Cu和S-Sn相比,S-CuSn表明吸附的OCHO*可以明顯誘導(dǎo) S-CuSn表面的電荷轉(zhuǎn)移和明顯的電荷積累。它進(jìn)一步導(dǎo)致界面處的電荷分布不平衡以及OCHO*和S-CuSn之間的強(qiáng)電荷相互作用,表明OCHO*的高活性和HCOOH* 形成的增強(qiáng)(圖5d-f)。還研究了S-CuSn襯底的電荷分布。圖5g顯示了S-CuSn中S、Cu和Sn原子之間強(qiáng)大的電荷相互作用,表明S和CuSn以及Sn和CuSn之間的界面處的電荷轉(zhuǎn)移和重新分布。
二維等高線圖也從差分電荷密度分布中切出,這進(jìn)一步證明了S和Sn原子周?chē)约癈uSn表面的不平衡電荷分布(圖 5h)。這不僅加速了S-CuSn中S、Cu和Sn原子之間的電荷轉(zhuǎn)移,而且提高了OCHO*與質(zhì)子/電子對(duì)反應(yīng)或吸附H*進(jìn)一步生成 HCOOH 的活性。基于上述分析,重構(gòu)的 S-CuSn 催化劑上可能的CO2RR機(jī)理可以得出結(jié)論,CuSn 合金上摻雜的S和Sn原子增強(qiáng)了電荷轉(zhuǎn)移以促進(jìn)與OCHO*的反應(yīng),從而還可以降低 S-CuSn 表面CO2到HCOOH轉(zhuǎn)化途徑的能壘(圖 5i)??傮w而言,吉布斯自由能和差分電荷密度的結(jié)果與實(shí)驗(yàn)觀察結(jié)果吻合良好,進(jìn)一步解釋了原位構(gòu)建的S-CuSn催化劑甲酸鹽生產(chǎn)的高選擇性和活性。
Ke Li, Jingwen Xu, Tingting Zheng, Yuan Yuan, Shuang Liu, Chunyue Shen, Taoli Jiang, Jifei Sun, Zaichun Liu, Yan Xu, Mingyan Chuai, Chuan Xia*, and Wei Chen. In Situ Dynamic Construction of a Copper Tin Sulfide Catalyst for High-Performance Electrochemical CO2 Conversion to Formate. ACS Catal. 2022, 12, 16, 9922–9932.
https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acscatal.2c02627

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